[发明专利]一种原子层沉积设备及方法有效
申请号: | 201810179329.7 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN110230041B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 纪红;史小平;李春雷;赵雷超;秦海丰;张文强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室和至少两路气体传输系统,所述气体传输系统向所述反应腔室通入气体,每路所述气体传输系统包括:前驱体源、前驱体携载管路、前驱体稀释管路、前驱体吹扫管路和前驱体供应管路;所述前驱体吹扫管路可通断性连接所述前驱体携载管路和所述前驱体稀释管路;所述前驱体携载管路与所述前驱体源可通断性连接。本发明通过增加前驱体吹扫管路而增大了管路吹扫时通入前驱体管路的吹扫气体流量,可以有效地减少附着在管路内拐角或是盲端位置的残留物,降低工艺颗粒污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括反应腔室和至少两路气体传输系统,所述气体传输系统向所述反应腔室通入气体,每路所述气体传输系统包括:前驱体源、前驱体携载管路、前驱体稀释管路、前驱体吹扫管路和前驱体供应管路;所述前驱体吹扫管路可通断性连接所述前驱体携载管路和所述前驱体稀释管路;所述前驱体携载管路与所述前驱体源可通断性连接;所述前驱体携载管路的出口端以及所述前驱体稀释管路的出口端与所述前驱体供应管路的入口连接,所述前驱体供应管路的出口与所述反应腔室连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的