[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810180316.1 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109427656B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 黄冠维;范振豊;陈育裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包含在金属部件上方形成第一图案化层，以及在第一图案化层上方沉积第一掩模层。将第一掩模层图案化以在其中形成第一组的一或多个开口，然后将第一掩模层薄化。将第一掩模层的图案转移至第一图案化层以在其中形成第二组的一或多个开口。第一图案化层可由硅或氧化物材料组成。当掩模层在第一图案化层上方时，可加宽第一图案化层中的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一金属部件上方形成一第一图案化层；在该第一图案化层上方沉积一第一掩模层；将该第一掩模层图案化，以在该第一掩模层中形成一第一组的一或多个开口；薄化该第一掩模层；将该第一掩模层的图案转移至该第一图案化层，以形成一第二组的一或多个开口在该第一图案化层中；以及蚀刻该第一图案化层，以加宽该第二组的一或多个开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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