[发明专利]一种CdSe纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810180713.9 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108265320A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 高云鹏;钟福新;苏泉;黎燕;莫德清 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CdSe纳米薄膜的制备方法。以DMF作为溶剂配制20.0mL浓度为0.071~0.150mol/L的Cd(NO3)2溶液、30.0mL浓度为0.067~0.119mol/L的H2SeO3溶液和5.0mL浓度为0.000~0.120mol/L的PVP溶液，上述三种溶液混合均匀配制成电解液；在匀速磁力搅拌下，铂片作阳极，ITO作阴极，在1V~5V沉积电压下沉积5~25分钟，在ITO上电沉积合成CdSe纳米薄膜，所得CdSe纳米薄膜光电压值为0.1258V~0.3680V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 制备 沉积 阴极 配制成电解液 阳极 沉积合成 磁力搅拌 光电性能 溶剂配制 溶液混合 仪器要求 光电压 铂片 上电 | ||
【主权项】：
1.一种CdSe纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：以二甲基甲酰胺作为溶剂配制20.0 mL浓度为 0.071~0.150 mol/L的 Cd(NO3)2溶液、30.0 mL 浓度为0.067~0.119 mol/L的 H2SeO3溶液和5.0 mL 浓度为0.000~0.120 mol/L 的聚乙烯吡咯烷酮溶液，上述三种溶液混合均匀作为电解液；在匀速磁力搅拌下，以铂片作阳极，ITO作阴极；沉积电压为1 V~5 V电压，沉积时间为5 ~25 分钟，在ITO上电沉积合成CdSe纳米薄膜，所得CdSe纳米薄膜的光电压值为0.1258 V~0.3680 V。
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