[发明专利]半导体器件及其制造方法以及用于半导体器件的检查设备

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法以及用于半导体器件的检查设备。本发明要解决的问题是可以改善半导体器件的集成度。在执行用于测试晶片中形成的芯片区域(CP)中的集成电路的电特性的晶片检查步骤中，在使具有相对小直径的第一探针与用于小电流的第一焊盘接触并使具有相对大直径的第二探针与用于大电流的第二焊盘接触的状态下执行测试。用于形成集成电路的布线和场效应晶体管布置在第一焊盘的正下方，第一探针的相对小的针压力被施加到该第一焊盘。另一方面，用于形成集成电路的布线和场效应晶体管没有布置在第二焊盘的正下方，第二探针的相对大的针压力被施加到第二焊盘。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在半导体晶片的芯片区域中形成集成电路之后，在所述芯片区域中形成电耦合到所述集成电路的多个电极；(b)在使多个测量针与所述芯片区域中的所述电极接触的状态下检查所述集成电路的电特性；以及(c)在步骤(b)之后，从所述半导体晶片切割所述芯片区域以形成半导体芯片，其中步骤(b)包括以下步骤：在使所述测量针的第一测量针在第一针压力下与所述电极的第一电极接触并使所述测量针的第二测量针在大于所述第一针压力的第二针压力下与所述电极的第二电极接触的状态下，测试所述集成电路的电特性，以及其中在所述第二电极的正下方每一个布置有用于形成所述集成电路的集成电路图案的层的数量小于在所述第一电极的正下方每一个布置有用于形成所述集成电路的集成电路图案的层的数量。