[发明专利]一种制备二维材料金属电极的掩膜版在审
| 申请号： | 201810181085.6 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108193169A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴幸;夏银;徐何军 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备二维材料金属电极的掩膜版，包括硅片框架及铜网，所述硅片框架由两片方形硅片与两条长条形硅片呈“口”字形搭接，且搭接部位由导电胶粘合；铜网覆盖在硅片框架两条长条形的硅片上，铜网与两条长条形硅片的重叠部位用双面胶粘合形成铜网掩膜版，使用时，用对准台实现铜网与纳米材料样品的对准，最终完成在纳米材料样品上制备二维材料金属电极。本发明具有制备精度高、制备效率高、稳定性好、坚固耐用，且制作简便、成本低廉的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铜网 制备 二维材料 硅片框架 金属电极 长条形 硅片 纳米材料 掩膜版 粘合 对准 搭接部位 方形硅片 坚固耐用 重叠部位 导电胶 双面胶 搭接 掩膜 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制备二维材料金属电极的掩膜版，其特征在于，它包括硅片框架（1）及铜网（2），所述硅片框架（1）由两片对称设置的方形硅片与两条平行设置的长条形硅片呈“口”字形搭接，且搭接部位由导电胶粘合；所述铜网（2）为铜丝网裁剪的圆片，铜网（2）覆盖在硅片框架（1）两条长条形的硅片上，且铜网（2）的圆心与硅片框架（1）的几何中心重合，铜网（2）与两条长条形硅片的重叠部位用双面胶粘合。
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