[发明专利]基于光学Tamm态的多频吸收器在审
| 申请号： | 201810181824.1 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108445561A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李培丽;栾开智 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B5/22 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 徐振兴;姚姣阳 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于光学Tamm态的多频吸收器，层状结构顺序为：M1‑D1‑DBR1‑M2‑DBR2‑D2‑M3，其中M1层、M2层、M3层均为金属银层；所述DBR1层和DBR2层均由二氧化硅和二氧化钛交替生长生成；所述D1、D2层为二氧化钛层。本设计是利用多重光学Tamm态之间的耦合作用，实现了三频、四频吸收。通过设计DBR1和DBR2的周期数可以得到三频吸收或者四频吸收，设计D1、D2层厚度来改变吸收波长，改变入射光角度来灵活调节吸收波长。相比较与采用标准刻蚀法制作的吸收器,该吸收器仅用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)实现,具有结构简单、制备方便的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收器 吸收波长 多频 吸收 金属有机物化学气相沉积 二氧化钛层 层状结构 多重光学 二氧化硅 二氧化钛 交替生长 金属银层 耦合作用 层厚度 入射光 周期数 刻蚀 制备 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种基于光学Tamm态的多频吸收器，层状结构顺序为：M1‑D1‑DBR1‑M2‑DBR2‑D2‑M3，其中M1层、M2层、M3层均为金属银层；所述DBR1层和DBR2层均由二氧化硅和二氧化钛交替生长生成；所述D1、D2层为二氧化钛层。
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