[发明专利]三孔接地小型化准SIW环行器有效
| 申请号： | 201810182514.1 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108306084B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 燕宣余;高春燕;闫欢;韩晓川 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所 |
| 主分类号： | H01P1/383 | 分类号： | H01P1/383;H01P1/387 |
| 代理公司： | 成都市熠图知识产权代理有限公司 51290 | 代理人： | 杨金涛 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三孔接地小型化准SIW环行器，属于微波元器件领域，包括硅基腔体（1）、旋磁基片（2）、永磁体（3）、接地通孔（5）、盖板（6）和环行器底板（7），其中，所述旋磁基片（2）嵌于硅基腔体（1）内，所述环行器底板（7）位于硅基腔体（1）底部，盖板（6）位于硅基腔体（1）正上方，所述永磁体（3）位于盖板（6）上方，所述接地通孔（5）在硅基腔体（1）上对称分布，所述硅基腔体（1）表面设置有电路，所述电路与硅基腔体（1）采用匹配孔（4）进行过渡；本发明的环行器，器件尺寸大大减小，实现了在17.8—26.6 GHz频段内的环行性能，本发明的环行器功率容量量级较微带结构提升了一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 接地 小型化 siw 环行器 | ||
【主权项】：
1.一种三孔接地小型化准SIW环行器，其特征在于：包括硅基腔体（1）、旋磁基片（2）、永磁体（3）、接地通孔（5）、盖板（6）和环行器底板（7），其中，所述旋磁基片（2）嵌于硅基腔体（1）内，所述环行器底板（7）位于硅基腔体（1）底部，盖板（6）位于硅基腔体（1）正上方，所述永磁体（3）位于盖板（6）上方，所述接地通孔（5）为三个，所述接地通孔（5）在硅基腔体（1）上对称分布，所述硅基腔体（1）表面设置有电路，所述电路与硅基腔体（1）采用匹配孔（4）进行过渡。
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