[发明专利]基于碳纳米管的热界面材料及其制造和使用方法在审
申请号: | 201810182515.6 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108538727A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | B·寇拉;L·普林齐;C·格林 | 申请(专利权)人: | 卡尔拜斯有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/373;H01L23/492;B82Y30/00 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在此描述了单层CNT复合材料和通过堆叠垂直排列型碳纳米管(CNT)阵列而由单层CNT复合材料形成的多层或多层次结构,以及其制造和使用方法。这样的多层或多层次结构可用作热界面材料(TIM)用于各种应用,如预烧测试。 | ||
搜索关键词: | 多层次结构 热界面材料 碳纳米管 复合材料 单层 多层 垂直排列 预烧测试 堆叠 可用 制造 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于使具有粘合性表面的导热性和/或导电性的机械顺应性衬底与受测装置接触的方法,该方法包括以下步骤:将该衬底直接附接到热或电单元头部上以完全覆盖该头部的区域或匹配该受测装置的尺寸;用至少10psi的压力和小于150℃的接合温度将该带有附接的衬底的热或电单元头部接合到该受测装置上;将该接合在至少10psi的压力下保持至少5分钟或将该接合循环至少一次至五次,其中在每次接合期间,该受测装置处于通电并且加热该热或电单元头部以模拟该装置通电以达到至少50℃的温度;使该热或电头部和衬底与该受测装置脱离并且再接合进行至少1,500次通电循环;并且测试该受测装置以确定循环后的热阻和/或相对热阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造