[发明专利]一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法在审
| 申请号： | 201810182721.7 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108321271A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;刘璋成;赵丹;张明辉;王玮;问峰;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 金刚石层 高掺杂 准垂直结构 欧姆接触电极 保护金属层 依次设置 单晶金刚石 碳化硅层 效率问题 依次层叠 衬底 制作 | ||
【主权项】：
1.一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，其特征在于，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底(1)和p型硼高掺杂金刚石层(2)，所述p型硼高掺杂金刚石层(2)上方依次设置有i型碳化硅层(3)、n型磷高掺杂金刚石层(4)、欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)，所述p型硼高掺杂金刚石层(2)上方还依次设置有欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)。
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