[发明专利]沟槽金氧半导体元件在审
| 申请号： | 201810182898.7 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110021656A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽金氧半导体元件，包括基底、多个第一沟槽电极结构与第二沟槽电极结构。基底定义有主动区。第一沟槽电极结构设置于主动区的基底中。每个第一沟槽电极结构包括第一下部电极与位于第一下部电极上的上部电极。上部电极的顶面实质上与基底的顶面共平面。基底、第一下部电极与上部电极彼此电性隔离。第二沟槽电极结构设置于主动区的基底中。第二沟槽电极结构包括第二下部电极与位于第二下部电极上的介电层。介电层的顶面实质上与基底的顶面共平面。基底与第二下部电极彼此电性隔离。第二沟槽电极结构位于相邻两个第一沟槽电极结构之间。上述沟槽金氧半导体元件的相邻两个上部电极之间的寄生电容较低，而具有较快的反应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽电极 基底 下部电极 上部电极 顶面 金氧半导体元件 主动区 彼此电性 结构设置 共平面 介电层 隔离 寄生电容 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽金氧半导体元件，其特征在于，包括：基底，定义有主动区；多个第一沟槽电极结构，设置于所述主动区的所述基底中，且每个第一沟槽电极结构包括第一下部电极与位于所述第一下部电极上的上部电极，其中所述上部电极的顶面实质上与所述基底的顶面共平面，且所述基底、所述第一下部电极与所述上部电极彼此电性隔离；以及第二沟槽电极结构，设置于所述主动区的所述基底中，且所述第二沟槽电极结构包括第二下部电极与位于所述第二下部电极上的介电层，其中所述介电层的顶面实质上与所述基底的顶面共平面，所述基底与所述第二下部电极彼此电性隔离，且所述第二沟槽电极结构位于相邻两个第一沟槽电极结构之间。
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