[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810182957.0 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108281487B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括绝缘栅极双极晶体管(IGBT)设置。IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度。自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括绝缘栅极双极晶体管布置，所述绝缘栅极双极晶体管布置包括在单元区域与敏感区域之间侧向设置的载流子限制减小区域，其中所述绝缘栅极双极晶体管布置包括在所述单元区域上分布的多个绝缘栅极双极晶体管结构和在所述载流子限制减小区域上分布的多个绝缘栅极双极晶体管，其中所述绝缘栅极双极晶体管布置被配置为使得在所述绝缘栅极双极晶体管布置的导通状态下，所述单元区域包括自由电荷载流子的第一平均密度，所述载流子限制减小区域包括自由电荷载流子的第二平均密度，以及所述敏感区域包括自由电荷载流子的第三平均密度，其中自由电荷载流子的所述第一平均密度大于自由电荷载流子的所述第二平均密度，并且自由电荷载流子的所述第二平均密度大于自由电荷载流子的所述第三平均密度。
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