[发明专利]半导体器件

摘要

一种具有FINFET的半导体器件，其提供了增强的可靠性。该半导体器件包括第一N沟道FET和第二N沟道FET，它们串联耦合在用于2输入NAND电路的输出的布线和用于第二电源电位的布线之间。在平面图中，局部布线设置在沿第二方向延伸的第一N沟道FET的第一N栅电极和第二N沟道FET的第二N栅电极之间，并且与沿第一方向延伸的半导体层交叉且沿第二方向延伸。局部布线耦合至用于热量消散的布线。

主权项

1.一种半导体器件，包括2输入NAND电路，所述2输入NAND电路包括：第一P沟道FET和第二P沟道FET，并联耦合在第一电源电位布线和输出布线之间；第一N沟道FET和第二N沟道FET，串联耦合在所述输出布线和第二电源电位布线之间；第一输入布线，耦合至所述第一P沟道FET的第一P栅电极和所述第一N沟道FET的第一N栅电极；以及第二输入布线，耦合至所述第二P沟道FET的第二P栅电极和所述第二N沟道FET的第二N栅电极，包括：半导体衬底，具有主表面；元件隔离膜，形成在所述半导体衬底的所述主表面上；第一半导体层，穿过所述元件隔离膜，从所述半导体衬底的所述主表面突出，并且在平面图中沿第一方向延伸；所述第一N栅电极和所述第二N栅电极，通过第一栅极绝缘膜设置在所述第一半导体层之上，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；第一局部布线，沿所述第一方向设置在所述第一N栅电极和所述第二N栅电极之间，并且沿所述第二方向延伸；第一层间绝缘膜，形成在所述半导体衬底的所述主表面之上，覆盖所述第一N栅电极和所述第二N栅电极，露出所述第一局部布线的主表面并邻接在其侧壁上；第二层间绝缘膜，设置在所述第一层间绝缘膜之上；以及第一布线，耦合至所述第一局部布线并且设置在所述第二层间绝缘膜之上。