[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

一种存储器及其形成方法，包括：形成擦除栅极结构、浮栅极结构以及位于浮栅极结构上的侧墙，浮栅极结构和侧墙在沟道方向分别对应具有背向擦除栅极结构的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁呈平面状，第一侧壁相对于第二侧壁朝向擦除栅极结构凹进，第一侧壁和第二侧壁不连续；在擦除栅极结构、浮栅极结构和侧墙的外表面和半导体衬底表面形成隔离膜，隔离膜覆盖第一侧壁和第二侧壁；在隔离膜的表面形成阻挡膜；回刻蚀阻挡膜至暴露出半导体衬底表面的隔离膜，形成覆盖第一侧壁和第二侧壁的阻挡层；以阻挡层为掩膜刻蚀隔离膜至暴露出半导体衬底表面，形成覆盖第一侧壁和第二侧壁的隔离层；之后去除阻挡层。所述方法提高了存储器的性能。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与擦除区邻接且位于擦除区两侧；形成位于所述擦除区上的擦除栅极结构、分别位于浮栅区上的浮栅极结构、以及位于浮栅极结构上的侧墙，所述浮栅极结构在沟道方向具有背向擦除栅极结构的第一侧壁，所述侧墙在沟道方向具有背向擦除栅极结构的第二侧壁，第一侧壁呈平面状，第一侧壁相对于第二侧壁朝向擦除栅极结构凹进，第一侧壁和第二侧壁不连续；在所述擦除栅极结构、浮栅极结构和侧墙的外表面、以及半导体衬底的表面形成隔离膜，且所述隔离膜覆盖第一侧壁和第二侧壁；在所述隔离膜的表面形成阻挡膜；回刻蚀所述阻挡膜直至暴露出位于半导体衬底表面的隔离膜，形成覆盖第一侧壁和第二侧壁的阻挡层，且所述阻挡层和侧墙之间、以及阻挡层和浮栅极结构之间具有隔离膜；以所述阻挡层为掩膜刻蚀隔离膜直至暴露出半导体衬底表面，使所述隔离膜形成覆盖第一侧壁和第二侧壁的隔离层；形成所述隔离层后，去除所述阻挡层。