[发明专利]一种利用化学自组装制造线宽可控的SWNT规模阵列的方法在审

专利信息
申请号: 201810183420.6 申请日: 2018-03-06
公开(公告)号: CN108467009A 公开(公告)日: 2018-08-31
发明(设计)人: 崔健磊;张建伟;梅雪松;王文君;王恪典;刘斌;段文强;凡正杰 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种利用化学自组装制造线宽可控的SWNT规模阵列的方法,先将SWNT在十二烷基硫酸钠水溶液中超声得到水环境中非共价修饰的SWNT;然后在二氧化硅基底表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯,电子束曝光获得PMMA‑SiO2基底,将PMMA‑SiO2基底进行氧等离子体清洗,浸入氨丙基三乙氧基硅烷和无水乙醇的溶液中,丙酮清洗,再浸入十八烷基三氯硅烷和无水乙醇的溶液中,得到在SiO2表面构筑自组装膜的功能化基底;最后将非共价修饰的SWNT转移到功能化基底表面,确保移液量完全覆盖功能化基底,大气环境中自然蒸发晾干,去离子水超声洗涤,重复转移、晾干、超声洗涤,即得到SWNT规模阵列,本发明组装工艺简单,阵列清晰,SWNT在线宽结构内排列均匀。
搜索关键词: 基底 功能化 浸入 超声洗涤 无水乙醇 晾干 可控的 制造线 自组装 十二烷基硫酸钠水溶液 氨丙基三乙氧基硅烷 聚甲基丙烯酸甲酯 十八烷基三氯硅烷 电子束曝光 二氧化硅基 氧等离子体 表面涂覆 丙酮清洗 大气环境 共价修饰 基底表面 去离子水 自然蒸发 自组装膜 组装工艺 非共价 宽结构 水环境 超声 移液 修饰 清洗 构筑 清晰 重复
【主权项】:
1.一种利用化学自组装制造线宽可控的SWNT规模阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)非共价修饰SWNT:将SWNT在十二烷基硫酸钠SDS水溶液中超声得到水环境中非共价修饰的SWNT(1);2)构筑自组装膜:在二氧化硅SiO2基底表面涂覆厚度为200‑700nm的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA(2),电子束曝光获得线宽为1‑5μm的PMMA‑SiO2基底(3),将PMMA‑SiO2基底(3)进行氧等离子体清洗,浸入氨丙基三乙氧基硅烷APTES:无水乙醇为1:10‑1:100的溶液中,丙酮清洗,再浸入十八烷基三氯硅烷OTS:无水乙醇为1:100‑1:1000的溶液中,得到在SiO2表面构筑自组装膜的功能化基底(4);3)组装:将非共价修饰的SWNT(1)转移到功能化基底(4)表面,确保移液量完全覆盖功能化基底(4),大气环境中自然蒸发晾干,去离子水超声洗涤,重复转移、晾干、超声洗涤,即得到SWNT规模阵列。
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