[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201810183571.1 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110233097B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有刻蚀停止层，在刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构，第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构，相邻第一子掩膜结构之间包括第一凹槽；形成充满第一凹槽的第二掩膜结构；刻蚀部分第二掩膜结构，以形成连接孔，连接孔的内壁包括与之相邻的两个第一子掩膜结构的部分侧壁；和填充连接孔，以形成第三掩膜结构。进而得到尺寸较小，结构更加规整的掩膜线段结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构，所述第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构，相邻所述第一子掩膜结构之间包括第一凹槽；形成充满所述第一凹槽的第二掩膜结构；刻蚀部分所述第二掩膜结构，以形成连接孔，所述连接孔的内壁包括与之相邻的两个所述第一子掩膜结构的部分侧壁；和填充所述连接孔，以形成第三掩膜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
