[发明专利]成膜方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201810183839.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108504996B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 中谷理子;本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/12;H01L21/312;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种以规定的堆积物填埋被处理体的凹部的成膜方法和等离子体处理装置。所述成膜方法具有：将腔室的内部保持为规定的压力，将被处理体设置于冷却为‑20℃以下的极低温的台上的工序；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体的工序；以及由供给来的、所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体来使由所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于被处理体的凹部中的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，包括以下工序：将腔室的内部保持为规定的压力，将被处理体设置于冷却为‑20℃以下的极低温的台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体使从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于被处理体的凹部来进行成膜。
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