[发明专利]浮栅器件及其制作方法

摘要

本发明涉及浮栅器件及其制作方法，其中，浮栅器件包括设置在半导体衬底中的源极区、第一浮栅、第二浮栅以及控制栅，第一浮栅和第二浮栅的上表面均高于源极区，控制栅设置于第一浮栅和第二浮栅之间，浮栅器件还包括设置于第一浮栅和第二浮栅的上方且位于控制栅两侧的漏极区。该浮栅器件的漏极区和源极区之间构成了纵向的沟道，有利于增加沟道长度，同时抑制短沟道效应以及漏电流，相对于平面结构的浮栅器件，可以在缩小占用半导体衬底表面面积同时避免产生短沟道效应，从而有利于提高存储密度。本发明另外提供了一种浮栅器件的制作方法，可以形成上述结构的浮栅器件。

主权项

1.一种浮栅器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有源极区；第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅和所述第二浮栅设置于所述源极区上方的所述半导体衬底中，所述第一浮栅和所述第二浮栅的上表面均高于所述源极区，并且所述第一浮栅和所述第二浮栅的下表面均不高于所述源极区；控制栅，所述控制栅设置于所述第一浮栅和所述第二浮栅之间的所述半导体衬底中，所述控制栅的上表面高于所述第一浮栅和所述第二浮栅的上表面，所述控制栅的下表面低于所述第一浮栅和所述第二浮栅中至少一个的下表面，并与所述第一浮栅和所述第二浮栅中至少一个的下表面至少部分重叠；以及设置于所述第一浮栅和所述第二浮栅的上方且位于所述控制栅两侧的半导体衬底中的漏极区。