[发明专利]一种GaN HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201810184656.1 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108389904B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张力江;高渊;高昶;王国清;宋洁晶;付兴昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种GaN HEMT器件及制备方法，包括衬底，衬底上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括贯穿栅介质层与GaN外延层接触的栅极、源电极和漏电极；栅介质层包括不同性质的第一栅介质层和第二栅介质层；第一栅介质层上开设有第一栅槽，第二栅介质层上开设有第二栅槽，第一栅槽与第二栅槽位置对应；栅极包括填充满第一栅槽和第二栅槽的栅金属，以及设置于第二介质层上表面的栅帽；源电极和漏电极位于栅极两侧。本发明通过在两种不同性质的栅介质层对应位置上开设侧壁陡直的双凹槽结构栅槽，有效降低栅寄生电容，提高器件频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底的上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括栅极、源电极和漏电极；所述栅极、源电极和漏电极贯穿所述栅介质层与所述GaN外延层接触；所述栅介质层包括不同性质的第一栅介质层和第二栅介质层；所述第一栅介质层上开设有贯穿所述第一栅介质层的第一栅槽，第二栅介质层上开设有贯穿所述第二栅介质层的第二栅槽；其中，所述第一栅槽与第二栅槽位置对应；所述栅极包括填充满所述第一栅槽和第二栅槽的栅金属，以及设置于所述第二介质层上表面且覆盖所述第二栅槽的栅帽；所述源电极和漏电极位于所述栅极两侧。
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