[发明专利]一种GaN HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 201810184785.0 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108417628A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高渊;李波;孙虎;周国;付兴中;张力江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种GaN HEMT器件及制备方法，包括衬底，衬底上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括贯穿栅介质层与GaN外延层接触的栅极、源电极和漏电极；栅介质层包括不同性质的第一栅介质层和第二栅介质层；第一栅介质层上开设有第一栅槽，第二栅介质层上开设有第二栅槽；第一栅槽侧壁倾角小于第二栅槽侧壁倾角；栅极包括填充满第一栅槽和第二栅槽的栅金属，以及设置于第二介质层上表面的栅帽；源电极和漏电极位于栅极两侧。本发明采用双层复合栅介质结构，第一栅槽侧壁倾角平缓，第二栅槽侧壁倾角相对陡直，既能够减少栅金属阻挡层形成的孔洞；又能够减小寄生电容，实现GaN HEMT器件的可靠性和频率特性同时提高。 | ||
| 搜索关键词： | 栅槽 栅介质层 侧壁倾角 漏电极 源电极 栅金属 制备 半导体器件技术 孔洞 衬底上表面 栅介质结构 寄生电容 频率特性 双层复合 介质层 上表面 阻挡层 衬底 减小 栅帽 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底的上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括栅极、源电极和漏电极；所述栅极、源电极和漏电极贯穿所述栅介质层与所述GaN外延层接触；所述栅介质层包括不同性质的第一栅介质层和第二栅介质层；所述第一栅介质层上开设有贯穿所述第一栅介质层的第一栅槽，第二栅介质层上开设有贯穿所述第二栅介质层的第二栅槽；所述第一栅槽侧壁倾角小于所述第二栅槽侧壁倾角；所述栅极包括填充满所述第一栅槽和第二栅槽的栅金属，以及设置于所述第二介质层上表面且覆盖所述第二栅槽的栅帽；所述源电极和漏电极位于所述栅极两侧。
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