[发明专利]一种噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及其在钙钛矿太阳能电池中的应用有效
| 申请号： | 201810185852.0 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108484569B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 钟羽武;邵将洋;胡劲松;葛倩庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C07D333/20 | 分类号： | C07D333/20;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;赵静 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一类噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及制备方法与应用。所述噻吩桥联四胺芘空穴传输材料的结构式如式I所示。该类空穴传输材料具有噻吩桥联的三芳胺结构单元，其在有机溶剂中溶解性好及成膜性好，大的共轭平面结构可有效提升材料的空穴迁移率，且制备成本低。通过光物理性质、电化学性能和热稳定性测试表明，所述空穴传输材料热稳定性好，能级与钙钛矿能级相匹配。将其作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池中，具有良好的光电转换效率。 |
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| 搜索关键词： | 一种 噻吩 桥联四胺芘 空穴 传输 材料 及其 钙钛矿 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.结构式如式I所示的化合物：![]()
其中，R为C1～C12的烷氧基链、C1～C12的烷硫基链或C1～C12的烷基链。
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