[发明专利]一种具有三维纳米结构的Bi2Te3材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 201810186159.5 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN108584887A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 姬广斌;陈家彬;梁小会;权斌 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李倩 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有三维纳米结构的Bi2Te3材料,所述Bi2Te3材料具有三维纳米结构,所述三维纳米结构由Bi2Te3纳米片相互穿插而成。本发明还公开了上述具有三维纳米结构的Bi2Te3材料的制备方法及其在用于制备电磁吸波材料方面的应用。本发明Bi2Te3材料在低厚度下也具有强的反射损耗和宽的有效吸收频带,因此其具有优异的吸波性能;本发明制备方法采用水热法制备得到具有三维纳米结构的Bi2Te3材料,该制备方法工艺简单、成本低,无需复杂的合成设备,可实现规模化大批量生产。 | ||
搜索关键词: | 三维纳米结构 制备 制备方法和应用 电磁吸波材料 制备方法工艺 反射损耗 合成设备 水热法制 吸波性能 有效吸收 规模化 纳米片 穿插 应用 生产 | ||
【主权项】:
1.一种具有三维纳米结构的Bi2Te3材料,其特征在于:所述Bi2Te3材料具有三维纳米结构,所述三维纳米结构由Bi2Te3纳米片相互穿插而成。
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