[发明专利]一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810187224.6 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108447910A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈邦明;王本艳;景蔚亮;黄添益 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，其属于晶体管领域的技术，包括：硼磷硅玻璃层，所述硼磷硅玻璃层设置于所述外延层上方；所述阱区内依次设有漏极、栅极、源极和衬底极；所述栅极包括：第一导片，所述第一导片设置于所述硼磷硅玻璃层上表面；第一导柱，所述第一导柱穿设于所述硼磷硅玻璃层中；多晶硅体，所述多晶硅体横截面为V字形，所述多晶硅体的尖端嵌设于所述外延层中；所述第一导柱两端分别与所述第一导片和所述多晶硅体相连。该技术方案的有益效果是：本发明加长了导电沟道，增强了栅极的控制的效果，降低了漏电流与功耗，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硼磷硅玻璃层 多晶硅体 第一导柱 导片 场效应晶体管 氧化物半导体 外延层 导电沟道 漏电流 上表面 晶体管 衬底 穿设 功耗 加长 漏极 嵌设 源极 生产成本 制造 | ||
【主权项】：
1.一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管制造方法，其特征在于，预先制备一衬底层，并在所述衬底层的上表面制备一外延层，还包括以下步骤：步骤S1，在预设位置进行深沟槽隔离，刻蚀出隔离深槽并作为栅极位置；步骤S2，在所述外延层设置第一导电类型的阱区和第二导电类型的阱区；步骤S3，在所述隔离深槽中两侧及底部先形成隔离层，然后在所述隔离深槽中填充多晶硅体；步骤S4，在所述阱区内的漏极、源极、衬底极和所述栅极处形成二硅化钛层；步骤S5，进行硼磷硅玻璃淀积以形成硼磷硅玻璃层，并在所述硼磷硅玻璃层中设置组成所述漏极、所述源极、所述栅极和所述衬底极的导柱以及导片。
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