[发明专利]一种由低值基准生成高值基准的电路结构有效
| 申请号： | 201810187298.X | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108334154B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘智;张强;葛梅;梁希 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种由低值基准生成高值基准的电路结构，包括PMOS晶体管MP1和MP2，NMOS晶体管MN1和MN2，电阻R1；PMOS晶体管MP1栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极连接NMOS晶体管MN1漏极；PMOS晶体管MP2栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极经电阻R1连接NMOS晶体管MN2漏极，且漏极输出高值基准电压Vref1；NMOS晶体管MN1源极接地，漏极与栅极连接且与NMOS晶体管MN2栅极连接；NMOS晶体管MN2源极接地，漏极连接低值基准电压Vref0。实现低温漂、高精度的具有较高基准电压的高值基准Vref1＝Vref0+ΔV。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低值 基准 生成 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种由低值基准生成高值基准的电路结构，其特征在于，包括PMOS晶体管MP1和MP2，NMOS晶体管MN1和MN2，电阻R1；所述的PMOS晶体管MP1栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极连接NMOS晶体管MN1漏极；所述的PMOS晶体管MP2栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极经电阻R1连接NMOS晶体管MN2漏极，且漏极输出高值基准电压Vref1；所述的NMOS晶体管MN1源极接地，漏极与栅极连接且与NMOS晶体管MN2栅极连接；所述的NMOS晶体管MN2源极接地，漏极连接低值基准电压Vref0。
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