[发明专利]基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810188380.4 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108400171A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;郝跃;康慨;祝杰杰;杨凌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/324;H01L21/225;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件及其制作方法，包括依次设置的衬底层、成核层、缓冲层，还包括势垒层；所述势垒层上设有源电极、漏电极和栅电极，所述势垒层上还设置有半导体薄膜，所述低阻态氮化镓基器件为通过热退火掺杂工艺处理过的氮化镓基器件。本发明实施例，工艺实现容易，成本较低，易实现大规模的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓基器件 低阻态 热退火 势垒层 掺杂 半导体薄膜 工艺处理 工艺实现 依次设置 衬底层 成核层 缓冲层 漏电极 源电极 栅电极 制作 生产 | ||
【主权项】：
1.一种基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件，其特征在于，包括依次设置的衬底层、成核层、缓冲层，还包括势垒层；所述势垒层上设有源电极、漏电极和栅电极，所述势垒层上还设置有半导体薄膜，所述低阻态氮化镓基器件为通过热退火掺杂工艺处理过的氮化镓基器件。
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