[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 201810188445.5 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN109584934A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 堂坂利彰 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实施方式的半导体存储装置具备:存储单元,存储多个数据;第1电路,对所述存储单元中存储的数据进行判定;及第2电路,对所述第1电路进行控制;且在所述第2电路向所述存储单元写入所述第1数据的序列中,所述第1电路生成第1电流值的第1电流,并基于所述第1电流及所述存储单元中流通的第2电流,对所述存储单元中存储的数据进行判定,在所述第2电路向所述存储单元写入不同于所述第1数据的所述第2数据的序列中,所述第1电路生成不同于所述第1电流值的第2电流值的第3电流,并基于所述第3电流及所述第2电流,对所述存储单元中存储的数据进行判定。 | ||
搜索关键词: | 存储单元 电路 存储 半导体存储装置 判定 电路生成 写入 流通 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,具备:存储单元,存储多个数据;第1电路,对所述存储单元中存储的数据进行判定;及第2电路,对所述第1电路进行控制;且在所述第2电路向所述存储单元写入第1数据的序列,所述第1电路生成第1电流值的第1电流,并基于所述第1电流、及所述存储单元中流通的第2电流,对所述存储单元中存储的数据进行判定,在所述第2电路向所述存储单元写入不同于所述第1数据的第2数据的序列中,所述第1电路生成不同于所述第1电流值的第2电流值的第3电流,并基于所述第3电流、及所述第2电流,对所述存储单元中存储的数据进行判定。
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