[发明专利]衬底、分割衬底的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201810188499.1 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573918B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 赵允来;金善大;白亨吉;白南奎;申承勋;元东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/488 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄隶凡;刘培培 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 分割 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种对衬底进行分割的方法，其特征在于，所述方法包括：通过以下方式制备衬底：提供具有划片槽区及器件区的晶体半导体层；在所述晶体半导体层上形成介电层；以及形成与所述介电层实体接触的分隔结构，所述分隔结构设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺，其中所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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