[发明专利]III-V族半导体刻蚀液及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810188771.6 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110240906A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;王超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/306;H01L21/3063 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III‑V族半导体刻蚀液及其制备方法和应用。所述的III‑V族半导体刻蚀液包括按照体积百分比计算的如下组分：含C＝C双键的酯15～30％，含羰基的酯60～84.95％，盐0.05～10％。所述的III‑V族半导体刻蚀液的制备方法包括：在常温下将含碳碳双键的酯、含羰基酯与盐于无水环境中混合均匀，获得所述III‑V族半导体刻蚀液。本发明实施例提供的III‑V族半导体刻蚀液，原料易得、制备方法简单，在刻蚀过程中操作安全，环境友好，而且可以实现对III‑V族半导体的精确刻蚀，同时获得不同的形貌，有利于科学研究和工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀液 半导体 制备方法和应用 制备 形貌 体积百分比 操作安全 环境友好 刻蚀过程 碳碳双键 无水环境 常温下 羰基酯 刻蚀 双键 羰基 科学研究 | ||
【主权项】：
1.一种III‑V族半导体刻蚀液，其特征在于包括按照体积百分比计算的如下组分：含C＝C双键的酯15～30％，含羰基的酯60～84.95％，盐0.05～10％。
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