[发明专利]利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅

摘要

本发明利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅。本文提供了用于相对于暴露的硅表面在衬底的暴露的氧化硅表面上选择性沉积氮化硅的方法和装置。技术涉及向衬底提供三甲基铝以在暴露的氧化硅表面上形成含铝部分，并且使用交替脉冲的氨基硅烷和肼通过热原子层沉积在表面上选择性地沉积氮化硅，相对于暴露的硅表面所述热原子层沉积在暴露的氧化硅表面上由含铝部分催化。另外的技术涉及向暴露的氧化硅表面提供含过渡金属的气体以形成含过渡金属部分，所述含过渡金属部分在使用交替脉冲的氨基硅烷和肼来热原子层沉积氮化硅期间充当催化剂。

主权项

1.一种在衬底的暴露的氧化硅表面上选择性地沉积氮化硅的方法，所述方法包括：提供具有所述暴露的氧化硅表面和暴露的硅表面的所述衬底；将所述衬底暴露于三甲基铝以相对于所述暴露的硅表面选择性地在所述暴露的氧化硅表面上形成含铝部分；以及执行一个或多个热原子层沉积循环，每个循环包括在不点燃等离子体的情况下将所述衬底暴露于氨基硅烷前体并将所述衬底暴露于肼，以相对于所述暴露的硅表面选择性地在所述暴露的氧化硅表面上形成氮化硅，其中所述肼具有以下化学结构：其中R3、R4、R5和R6各自为氢或烷基。