[发明专利]肖特基的光探测器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种肖特基结构的光探测器及其形成方法。通过将肖特基接触层形成在光敏层的内部，从而使光敏层中所形成的耗尽区从光敏层的表面扩展至光敏层的深处，有利于提高光敏层深处的光生载流子的分离和吸收的效率。并且可进一步将互连层掩埋入光敏层中，从而可同时减小肖特基接触层和互连层对入射光的阻挡，提高光敏层对入射光的吸收率，进而可改善肖特基结构的光探测器的性能。

主权项

1.一种肖特基结构的光探测器，其特征在于，包括：光敏层，所述光敏层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述光敏层包括第一端部，所述第一端部为所述光敏层中靠近所述第一表面的端部；欧姆接触层，形成在所述光敏层上并与所述第一端部电性连接；以及，多个肖特基接触层，形成在所述光敏层的内部并位于所述第一端部的上方。