[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810190168.1 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108735721A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木阳光;井口知洋;木村晃也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/367 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置包括第1、第2半导体芯片、金属基体及第1、第2接合部件。上述第2半导体芯片在第1方向上与上述第1半导体芯片分离。上述金属基体在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1、第2半导体芯片分离。上述绝缘基体设置于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。上述第1接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间。上述第2接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 金属基体 接合部件 绝缘基体 半导体装置 方向交叉 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第1半导体芯片；第2半导体芯片；金属基体，在与从上述第1半导体芯片向上述第2半导体芯片的方向交叉的第1方向上，与上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片分离；绝缘基体，设置在上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间；第1接合部件，设置在上述金属基体与上述绝缘基体之间，上述第1接合部件的至少一部分，在上述第1方向上处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间；以及第2接合部件，设置在上述金属基体与上述绝缘基体之间，上述第2接合部件的至少一部分，在上述第1方向上处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。
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