[发明专利]一种插层聚吡咯纳米材料及其制备方法在审
申请号: | 201810190635.0 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN108410168A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 查公祥 | 申请(专利权)人: | 查公祥 |
主分类号: | C08L79/04 | 分类号: | C08L79/04;C08L1/28;C08K13/02;C08K3/36;C08K5/02;C08K5/1535;C08K5/17;C08G73/06 |
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地址: | 723100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种插层聚吡咯纳米材料及其制备方法,它是由下述重量份的原料组成的:吡咯60‑70、插层乳液10‑14、引发剂1.7‑2、异氰尿酸三缩水甘油酯1‑2、烯基琥珀酸酐0.7‑1、乙酰丙酮钒0.1‑0.2、纳米二氧化硅7.5‑9。本发明通过插层,保证了导电稳定性,为纳米二氧化硅提供了更多的附着点,降低了纳米二氧化硅的团聚。 | ||
搜索关键词: | 插层 纳米二氧化硅 纳米材料 聚吡咯 制备 异氰尿酸三缩水甘油酯 烯基琥珀酸酐 导电稳定性 乙酰丙酮钒 原料组成 附着点 引发剂 重量份 乳液 吡咯 团聚 保证 | ||
【主权项】:
1.一种插层聚吡咯纳米材料,其特征在于,它是由下述重量份的原料组成的:吡咯60‑70、插层乳液10‑14、引发剂1.7‑2、异氰尿酸三缩水甘油酯1‑2、烯基琥珀酸酐0.7‑1、乙酰丙酮钒0.1‑0.2、纳米二氧化硅7.5‑9。
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