[发明专利]高di/dt耐量光控晶闸管

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高di/dt耐量光控晶闸管。本发明的一光控晶闸管，主要为通过缩小元胞宽度和调整器件结构，来优化器件内部电流均匀分布和温度稳定性，进而提升器件的耐电流上升率。另外，本发明由于自身的优点，可以在光源能覆盖的范围内对版图进行调整。本发明的有益效果为，提供了电流分布均匀、温度稳定性高的窄元胞结构的光控晶闸管设计，解决了传统的光控晶闸管(LTT)由于耐电流上升率低而不能很好适应于脉冲功率应用领域。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。

主权项

1.高di/dt耐量光控晶闸管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阳极(1)、阳极P+区(2)、N漂移区(3)和阴极(7)；所述N漂移区(3)上层具有P基区(4)，所述P基区(4)上层具有N+阴极区(5)和N+光栅区(6)，其特征在于，所述N+阴极区(5)始终位于N+光栅区(6)两侧，即由一个N+光栅区(6)和位于该N+光栅区(6)两侧的两个N+阴极区(5)构成多个重复结构，相邻两个结构的N+阴极区(5)之间具有阴极短路结构(10)；所述阴极(7)与相邻的两个N+阴极区(5)接触；所述N+光栅区(6)上表面具有光栅浮空电极(8)，光栅浮空电极(8)还沿N+光栅区(6)上表面向两侧延伸至部分P基区(4)上表面；所述光栅浮空电极(8)中部区域是透光区(9)，所述P基区(4)的单元元胞宽度为50～100μm，相邻元胞共有的N+光栅区(6)宽度为30～50μm。