[发明专利]压电薄膜传感器及其制备方法

摘要

本申请提供一种压电薄膜传感器及其制备方法。所述压电薄膜传感器的制备方法包括提供一种压电薄膜层状结构。所述压电薄膜层状结构包括基底、第一绝缘层、压电薄膜器件和第二绝缘层。利用干法刻蚀将所述第二绝缘层与所述压电薄膜器件相对的部分去除，并漏出部分所述第二表面。对于所述第二表面漏出的部分进行刻蚀，刻蚀深度等于所述基底的厚度。

主权项

1.一种压电薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：S100，提供一种压电薄膜层状结构(100)，所述压电薄膜层状结构(100)包括：基底(110)，所述基底(110)包括第一表面(111)和与所述第一表面(111)相对的第二表面(112)；第一绝缘层(120)，设置于所述第一表面(111)，所述第一绝缘层(120)包括至少一个第一绝缘层第一部分(121)和至少一个第一绝缘层第二部分(122)；当所述第一绝缘层(120)包括一个所述第一绝缘层第一部分(121)和一个所述第一绝缘层第二部分(122)时，所述第一绝缘层第一部分(121)和所述第一绝缘层第二部分(122)直接相邻设置；当所述第一绝缘层(120)包括两个或两个以上所述第一绝缘层第一部分(121)时，相邻的两个所述第一绝缘层第一部分(121)之间间隔一个所述第一绝缘层第二部分(122)；压电薄膜器件(140)，设置于所述第一绝缘层第二部分(122)，并且设置于所述第一绝缘层(120)远离所述基底(110)的表面；以及第二绝缘层(130)，设置于所述第二表面(112)；制备所述压电薄膜器件(140)的具体步骤包括：S131，在所述第一绝缘层(120)远离所述基底(110)的表面涂覆光刻胶(150)，对所述光刻胶(150)进行光刻，然后沉积第一电极层；S132，对所述第一电极层光刻、剥离，在所述第一绝缘层(120)远离所述基底(110)的表面形成多个间隔设置的第一电极(141)；S133，在所述第一电极(141)远离所述第一绝缘层(120)的表面以及所述第一绝缘层(120)未被所述第一电极(141)覆盖的表面旋涂压电薄膜层(142)，在所述压电薄膜层(142)表面涂覆光刻胶(150)，并对所述光刻胶(150)进行光刻；S134，对所述压电薄膜层(142)进行热处理；S135，对所述压电薄膜层(142)进行湿法腐蚀，去除位于所述第一绝缘层(120)未被所述第一电极(141)覆盖的表面的所述压电薄膜层(142)；S136，在未被所述第一电极(141)覆盖的所述第一绝缘层(120)的表面涂覆光刻胶(150)，然后在所述压电薄膜层(142)远离所述第一电极(141)的表面沉积第二电极层；以及S137，对所述第二电极层进行光刻、剥离，去除位于所述第一绝缘层(120)未被所述第一电极(141)覆盖的第二电极层，从而在每个所述压电薄膜层(142)远离所述第一电极(141)的表面形成第二电极(143)；S200，利用干法刻蚀将与所述第一绝缘层第二部分(122)对应位置的所述第二绝缘层(130)刻蚀掉，并漏出与所述第一绝缘层第二部分(122)对应位置的所述第二表面(112)；其中，与所述第一绝缘层第二部分(122)对应位置为向所述压电薄膜层状结构(100)的层叠方向投影，与所述第一绝缘层第二部分(122)投影重合的位置；以及S300，利用干法刻蚀沿所述基底(110)漏出的所述第二表面(112)进行刻蚀，刻蚀深度等于所述基底(110)的厚度，沿着刻蚀深度的方向，所述基底(110)被刻蚀的形状为矩形，并且在所述第一部分(121)的一个表面设置所述压电薄膜器件(140)，在所述第一部分(121)的另一个表面不设置所述基底(110)及所述第二绝缘层(130)；在所述第二部分(122)的一个表面不设置所述压电薄膜器件(140)，在所述第二部分(122)的另一个表面设置所述基底(110)及所述第二绝缘层(130)，以使得向所述压电薄膜层状结构(100)的层叠方向投影时，所述压电薄膜器件(140)的投影与所述基底(110)的投影不重叠，并且所述压电薄膜器件(140)的投影与所述第二绝缘层(130)的投影不重叠。