[发明专利]基于氧化自停止技术的p型栅增强型晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于氧化自停止技术的p型栅增强型晶体管及其制备方法。所述的制备方法包括：提供包含第一半导体和第二半导体的异质结，异质结中形成有二维电子气；在异质结上依次生长形成第三半导体、第四半导体；在第四半导体上设置掩模，并使从掩模中暴露出的第四半导体氧化形成氧化物，通过第四半导体在相同条件下的氧化速率远大于第三半导体的优势，使氧化反应在到达第三半导体时自停止；以及，制作源极、漏极和栅极，使栅极与保留于栅下区域内的第四半导体连接，保留于栅下区域内的第四半导体用于使分布于栅下区域的二维电子气耗尽。本发明避免了二次外延产生的界面态，通过氧化物的形成实现准原位钝化，抑制了电流崩塌，提升了器件性能。

主权项

1.一种基于氧化自停止技术的p型栅增强型晶体管的制备方法，其特征在于包括：提供包含第一半导体和第二半导体的异质结，所述第二半导体形成在第一半导体上，且具有宽于所述第一半导体的带隙，所述异质结中形成有二维电子气；在所述异质结上依次生长形成第三半导体、第四半导体；在所述第四半导体上设置掩模，并使从掩模中暴露的第四半导体氧化形成氧化物，且使氧化反应在到达第三半导体时自停止；以及制作源极、漏极和栅极，使所述栅极与保留于栅下区域内的第四半导体连接，所述源极与漏极能够通过所述二维电子气连接，其中所述保留于栅下区域内的第四半导体用于使分布于栅下区域的二维电子气耗尽。