[发明专利]一种深浅沟槽半导体功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810193966.X | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108447911B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 | 申请（专利权）人： | 香港商莫斯飞特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 中国香港新界沙田火炭坳背*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 一种深浅沟槽半导体功率器件，包括，P形基区、N+源区、终端区、源区金属垫层，以及栅极金属垫层，具有至少两种不同深度的沟槽，穿过P型基区进入外延层；其中，一种深度的沟槽，其侧壁和底壁是介质层，中间是导电材料，形成的导电体被接至栅极金属，作为器件的栅极使用；另一种深度的沟槽，具有两部分结构：上部分沟槽和下部分沟槽：所述下部分沟槽，其侧壁和底壁是介质层，中间是导电材料，形成的导电体被接至源区金属作为场板；所述上部分沟槽，其侧壁和底壁是介质层，中间是导电材料，导电体被接至栅极金属，作为器件的栅极使用。本发明的半导体功率器件，深浅场板合在一起，更优化场板的功能，节省芯片面积，增加了器件的性能价格比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深浅 沟槽 半导体 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深浅沟槽半导体功率器件，包括，P形基区、N+源区、终端区、源区金属垫层，以及栅极金属垫层，其特征在于，所述深浅沟槽半导体功率器件，具有至少两种不同深度的沟槽，穿过P型基区进入外延层；其中，一种深度的沟槽，其侧壁和底壁是介质层，中间是导电材料，形成的导电体被接至栅极金属，作为器件的栅极使用；另一种深度的沟槽，具有两部分结构：上部分沟槽和下部分沟槽：所述下部分沟槽，其侧壁和底壁是介质层，中间是导电材料，形成的导电体被接至源区金属作为场板；所述上部分沟槽，其侧壁和底壁是介质层，中间是导电材料，导电体被接至栅极金属，作为器件的栅极使用。
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