[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置有效
| 申请号： | 201810194164.0 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108573854B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 山口达也;新纳礼二;桥本浩幸;野泽秀二;藤川诚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/04;H01L21/203;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 以及 真空 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，在该制造方法中，对基板进行处理来制造半导体装置，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括如下工序：向所述基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜的工序；以层叠于所述第1掩模用的膜上的方式形成第2掩模用的无机膜的工序；在所述第1掩模用的膜和所述第2掩模用的无机膜形成图案、对所述基板的表面进行离子注入的工序；在所述离子注入后去除所述第2掩模用的无机膜的工序；在所述离子注入后对基板进行加热而使所述聚合物解聚来去除所述第1掩模用的膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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