[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括：(a)在第一区域中经第一绝缘膜在半导体衬底上方形成第一伪栅电极，经第二绝缘膜在半导体衬底上方形成第二伪栅电极，在第二区域中经第三绝缘膜在半导体衬底上方形成第三伪栅电极，第二伪栅电极经第四绝缘膜与第一伪栅电极相邻，第二伪栅电极的高度大于第三伪栅电极的高度；(b)形成层间绝缘层以便与第一至第三伪栅电极的上表面重叠；(c)抛光层间绝缘层、第一至第三伪栅电极的各部分使其上表面从层间绝缘层暴露；(d)去除第一至第三伪栅电极；以及(e)在第一至第三开口部中填充含金属的膜，第一至第三开口部是在步骤(d)中已经去除第一至第三伪栅电极的区域。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括形成在半导体衬底的第一区域中的非易失性存储器的存储单元和形成在所述半导体衬底的第二区域中的MOS型晶体管，所述方法包括：(a)在所述第一区域中，经由第一绝缘膜在所述半导体衬底上方形成第一伪栅电极并且经由第二绝缘膜在所述半导体衬底上方形成第二伪栅电极，在所述第二区域中，经由第三绝缘膜在所述半导体衬底上方形成第三伪栅电极，所述第二伪栅电极被设置为经由第四绝缘膜与所述第一伪栅电极相邻，所述第二伪栅电极的从所述半导体衬底的表面到所述第二伪栅电极的上表面的高度大于所述第三伪栅电极的从所述半导体衬底的所述表面到所述第三伪栅电极的上表面的高度；(b)形成层间绝缘层以便与所述第一伪栅电极的上表面、所述第二伪栅电极的所述上表面和所述第三伪栅电极的所述上表面重叠；(c)抛光所述层间绝缘层、所述第一伪栅电极、所述第二伪栅电极和所述第三伪栅电极的各部分，使得所述第一伪栅电极、所述第二伪栅电极和所述第三伪栅电极的所述上表面从所述层间绝缘层暴露；(d)在步骤(c)之后，去除所述第一伪栅电极、所述第二伪栅电极和所述第三伪栅电极；以及(e)在步骤(d)之后，在第一开口部、第二开口部和第三开口部中填充含金属的膜，所述第一开口部是在步骤(d)中已经去除所述第一伪栅电极的区域，所述第二开口部是在步骤(d)中已经去除所述第二伪栅电极的区域，所述第三开口部是在步骤(d)中已经去除所述第三伪栅电极的区域。