[发明专利]原子腔的制备方法

摘要

本申请提供一种原子腔的制备方法，包括以下步骤：提供预封装原子腔结构和封装基底，并将封装基底和预封装原子腔结构清洗备用。提供被填充物，将被填充物填充入盲孔。用封装基底覆盖预封装原子腔结构，施加接触压力。加热，在预封装原子腔结构和封装基底之间施加键合电压，得到预键合的原子腔室。在缓冲气体氛围内，加热，在预封装原子腔结构和封装基底之间施加键合电压。键合完成后断开键合电压，停止加热，撤除压力，自然降温至室温。通过对预封装原子腔结构和封装基底先进行预键合，再在缓冲气体中进行一次键合，可以增强键合强度和原子腔的气密性，还可以有效避免预键合的原子腔因为键合强度不够导致空气进入原子腔内的问题。

主权项

1.一种原子腔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100，提供预封装原子腔结构(100)，所述预封装原子腔(100)包括主体(110)，以及开设于所述主体(110)的至少一个盲孔(112)，所述主体(110)具有一封装面(114)，所述盲孔(112)在所述封装面(114)开设；/nS200，提供封装基底(200)，并将所述封装基底(200)和所述预封装原子腔结构(100)清洗备用；/n所述预封装原子腔结构(100)包括：/n具有通孔的打孔样片(118)；/n及附着于所述打孔样片(118)表面的第一基底(116)，所述第一基底(116)和所述打孔样片(118)通过键合技术紧密结合；/n其中，所述第一基底(116)为玻璃片，所述打孔样片(118)为硅片，所述封装基底(200)为玻璃；/nS300，提供被填充物(400)，在真空环境下或缓冲气体氛围内将所述被填充物(400)填充入所述盲孔(112)，所述被填充物(400)包括铷(410)元素或铯元素；/nS400，在真空环境下或缓冲气体氛围内，用所述封装基底(200)覆盖所述封装面(114)并封闭所述盲孔(112)，对所述封装基底(200)和所述预封装原子腔结构(100)施加接触压力，使所述封装基底(200)和所述预封装原子腔结构(100)紧密结合；/nS500，在真空环境或缓冲气体氛围内，对所述封装基底(200)和所述预封装原子腔结构(100)加热，加热温度的取值范围为50℃-500℃，将正电极直接加在硅片上，不能加在底部玻璃上，以所述封装基底(200)作为阴极，在所述预封装原子腔结构(100)和所述封装基底(200)之间施加键合电压，所述键合电压的取值范围为200V-1100V；/nS600，观察键合回路的电流，当所述键合回路的电流下降到键合回路的峰值电流的十分之一以下时，预键合完成，得到预键合的原子腔；/nS700，在缓冲气体氛围内，对所述预键合的原子腔加热，加热温度的取值范围为50℃-500℃，将正电极直接加在硅片上，不能加在底部玻璃上，以所述封装基底(200)作为阴极，在所述预封装原子腔结构(100)和所述封装基底(200)之间施加键合电压，所述键合电压的取值范围为200V-1100V；/nS800，观察键合回路的电流，当所述键合回路的电流下降到键合回路的峰值电流的十分之一以下时，键合完成；/nS900，断开键合电压，停止加热，撤除压力，自然降温至室温。/n