[发明专利]一种高电子利用率低能电离装置、质谱系统及方法有效
| 申请号： | 201810194678.6 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108493091B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 黄泽建;刘广才;方向;江游;龚晓云;翟睿;谢洁;刘梅英 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | H01J49/14 | 分类号： | H01J49/14;H01J49/42;G01N27/64 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种高电子利用率低能电离装置、质谱系统及方法，包括：电离室、电子入射栅网及低能电场组件；所述电离室，位于所述电子入射栅网内侧，用于容纳待测物分子与电子，所述电子轰击所述待测物分子进行电离；所述电子入射栅网，安装在所述电离室与所述低能电场组件之间，用于提高电子利用率；所述低能电场组件，安装在所述电子入射栅网外侧，用于生成低能电场。一种采用所述电离装置的质谱系统，以及采用了所述质谱系统的质谱方法。本发明可以有效减少待测物分子产生的碎片离子并提高电子利用率，从而在气体成分的检测中不需要再借助色谱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 利用率 低能 电离 装置 谱系 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电子利用率低能电离装置，其特征在于，包括：电离室、电子入射栅网及低能电场组件；所述电离室，位于所述电子入射栅网内侧，用于容纳待测物分子与电子，所述电子轰击所述待测物分子进行电离；所述电子入射栅网，安装在所述电离室与所述低能电场组件之间，用于提高电子利用率；所述低能电场组件，安装在所述电子入射栅网外侧，用于生成低能电场与发射电子。
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