[发明专利]一种三维存储器的存储单元结构在审
| 申请号： | 201810195274.9 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108538879A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王本艳;陈邦明;景蔚亮;寇煦丰 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构，包括：第一金属连线层，制备有字线；二极管制备层，形成于第一金属连线层的上表面；二极管制备层中具有与字线连接的选通二极管；磁隧道结形成层，形成于二极管制备层的上表面；磁隧道结形成层中制备有分别连接字线和选通二极管的磁隧道结；第二金属连线层，形成于磁隧道结形成层的上表面；第二金属连线层中制备有位线，位线与磁隧道结连接；其中，选通二极管的导通方向朝向字线；能够形成单位面积大的选通二极管，保证了选通二极管的驱动电流，保证了存储单元的存储功能的优良。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 制备 磁隧道结 选通 金属连线层 上表面 字线 存储单元结构 三维存储器 位线 半导体技术领域 存储单元 存储功能 连接字线 驱动电流 导通 保证 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的存储单元结构，其特征在于，包括：第一金属连线层，制备有字线；二极管制备层，形成于所述第一金属连线层的上表面；所述二极管制备层中具有与所述字线连接的选通二极管；磁隧道结形成层，形成于所述二极管制备层的上表面；所述磁隧道结形成层中制备有分别连接所述字线和所述选通二极管的磁隧道结；第二金属连线层，形成于所述磁隧道结形成层的上表面；所述第二金属连线层中制备有位线，所述位线与所述磁隧道结连接；其中，所述选通二极管的导通方向朝向所述字线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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