[发明专利]导电组件及存储器组合件有效

专利信息
申请号: 201810195278.7 申请日: 2018-03-09
公开(公告)号: CN108573975B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: S·班迪奥帕迪亚伊;K·W·洲;D·K·达塔;A·金达;D·R·埃科诺米;J·M·梅尔德里姆 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请案涉及导电组件及存储器组合件。一些实施例包含一种存储器组合件,其具有紧接于导电源极的存储器单元。沟道材料沿所述存储器单元延伸且与所述导电源极电耦合。所述导电源极在绝缘材料上方且包含直接靠着所述绝缘材料的粘着材料。所述粘着材料包括金属、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属硅化物、金属碳化物、金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物中的一或多者。所述导电源极包含在所述粘着材料上方且直接靠着所述粘着材料的含金属材料。所述含金属材料基本上由金属组成。所述导电源极包含在所述含金属材料上方且直接靠着所述含金属材料的含金属及氮材料,且包含在所述含金属及氮材料上方的导电掺杂半导体材料。
搜索关键词: 导电 组件 存储器 组合
【主权项】:
1.一种存储器组合件,其包括:存储器单元,其紧接于导电源极;沟道材料,其沿所述存储器单元延伸且与所述导电源极电耦合;且其中所述导电源极在绝缘材料上方且包含:粘着材料,其直接靠着所述绝缘材料;所述粘着材料包括金属、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属硅化物、金属碳化物、金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物中的一或多者;第一含金属材料,其在所述粘着材料上方且直接靠着所述粘着材料;所述第一含金属材料基本上由金属组成;第二含金属材料,其在所述第一含金属材料上方且直接靠着所述第一含金属材料;所述第二含金属材料包括金属及氮;及导电掺杂半导体材料,其在所述第二含金属材料上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810195278.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top