[发明专利]一种钴离子掺杂的氮化碳空心四棱柱及其制备方法有效
| 申请号： | 201810195607.8 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108423648B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨萍;江志翔 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 贾波 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种钴离子掺杂的氮化碳空心四棱柱及其制备方法，空心四棱柱的底面外侧壁边长为300‑400nm，棱长为4‑10μm，壁厚为20‑50纳米。本发明通过析晶和煅烧两个过程实现了钴离子的均匀掺杂和空心四棱柱形貌的形成。本发明利用晶体的自析晶过程，不仅可提高原料的纯度，还实现了钴离子的均匀掺杂，制备过程简单，重复性好，产率高，且具有普适性。煅烧得到的产品具有空心四棱柱形貌，该形貌新颖、特殊，比传统的块状形貌具有更高的比表面积，在光催化降解有机物、光催化产氢、能源材料、分析化学等领域极具应用前景。且钴离子存在在C |
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| 搜索关键词： | 一种 离子 掺杂 氮化 空心 棱柱 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钴离子掺杂的氮化碳空心四棱柱，其特征是：空心四棱柱的底面外侧壁边长为300‑400nm，棱长为4‑10μm，壁厚为20‑50纳米。
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