[发明专利]一种有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法

摘要

本发明提供的一种新型的有机‑无机钙钛矿半导体材料的制备方法中，首先，将线型衬底垂直浸入钙钛矿前驱液中，通过温度和反溶剂的量调节钙钛矿在混合液相中呈现饱和状态，通过磁力搅拌器扰动液相混合物使得线型衬底位于扰动中心；然后，持续滴加反溶剂，使液相过饱和出现晶体析出，在溶液扰动的作用下沉积在线型衬底表面形成薄膜。本发明通过将线型衬底垂直浸入前驱液中，并结合磁力搅拌使得线型衬底位于液相扰动中心，大大降低了重力对析出的晶体的影响，得到了均一致密的钙钛矿薄膜。

主权项

1.一种有机‑无机钙钛矿半导体材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1、清洗线型衬底，烘干备用；步骤2、配制钙钛矿前驱液，在50～70℃下搅拌8～12h，得到均匀的钙钛矿前驱液；步骤3、将步骤1清洗干净的线型衬底垂直浸入步骤2得到的钙钛矿前驱液中，然后将钙钛矿前驱液放置于加热搅拌台上，在搅拌的条件下加热至90～120℃；其中，搅拌台转动中心、磁力转子中心位于线型衬底所在直线上，搅拌速度为200～500rpm；步骤4、在搅拌条件下，向步骤3的钙钛矿前驱液中滴加反溶剂，晶体析出，即可在线型衬底上形成钙钛矿薄膜；其中，滴加的反溶剂与钙钛矿前驱液的体积比为(1～2)：1。