[发明专利]含有三维印录存储阵列的可编程计算阵列在审
申请号: | 201810198361.X | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN110265405A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 厦门海存艾匹科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/11578 | 分类号: | H01L27/11578 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361021 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提出一种新型可编程门阵列——可编程计算阵列。它含有多个可编程计算单元阵列、多个可编程逻辑单元阵列和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有多个三维印录存储(3D‑P)阵列,这些3D‑P阵列存储一基本函数库的查找表(LUT)。 | ||
搜索关键词: | 可编程 三维 可编程逻辑单元 计算单元阵列 可编程门阵列 基本函数库 可编程连接 存储阵列 计算单元 阵列存储 查找表 存储 | ||
【主权项】:
1.一种可编程计算单元(100),其特征在于含有:一含有晶体管的半导体衬底(0);堆叠在该半导体衬底(0)上的第一和第二三维印录存储器(3D‑P)阵列(110, 120),该第一3D‑P阵列(110)存储一第一基本函数的至少部分查找表(LUT A),该第二3D‑P阵列(120)存储一第二基本函数的至少部分查找表(LUT B);至少一与该第一和第二3D‑P阵列耦合的计算单元内可编程连接(150或160),基于该计算单元内可编程连接的设置信号(125),该可编程计算单元(200)选择性地实现该第一或第二基本函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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