[发明专利]一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810198645.9 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108376709B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 安霞;任哲玄;张冰馨;王家宁;李艮松;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub‑Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub‑Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 插入 介质 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底上具有与衬底相连的Fin条结构，Fin条顶部至侧壁表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区；源、漏位于沟道区两端，其特征在于，在Fin条中插入一介质层，该介质层剖面形貌为倒T形，由水平和垂直部分组成，垂直部分是垂直于衬底位于器件沟道区下方，顶部位于Fin底部，两侧连接Fin条两边的STI区；水平部分是平行于衬底，连接器件四周STI区底部。
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