[发明专利]一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201810198645.9 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108376709B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 安霞;任哲玄;张冰馨;王家宁;李艮松;黄如;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub‑Fin区域形成超薄倒T形介质层,隔断了辐照后sub‑Fin区域连通源漏的泄漏电流通道,可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比,本发明器件关态泄漏电流更小;且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容,可以免去PTS掺杂。 | ||
搜索关键词: | 一种 插入 介质 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种鳍式场效应晶体管,包括半导体衬底,在半导体衬底上具有与衬底相连的Fin条结构,Fin条顶部至侧壁表面具有横跨Fin条的栅极结构,与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区;源、漏位于沟道区两端,其特征在于,在Fin条中插入一介质层,该介质层剖面形貌为倒T形,由水平和垂直部分组成,垂直部分是垂直于衬底位于器件沟道区下方,顶部位于Fin底部,两侧连接Fin条两边的STI区;水平部分是平行于衬底,连接器件四周STI区底部。
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