[发明专利]一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810198645.9 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN108376709B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 安霞;任哲玄;张冰馨;王家宁;李艮松;黄如;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub‑Fin区域形成超薄倒T形介质层,隔断了辐照后sub‑Fin区域连通源漏的泄漏电流通道,可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比,本发明器件关态泄漏电流更小;且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容,可以免去PTS掺杂。
搜索关键词: 一种 插入 介质 场效应 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种鳍式场效应晶体管,包括半导体衬底,在半导体衬底上具有与衬底相连的Fin条结构,Fin条顶部至侧壁表面具有横跨Fin条的栅极结构,与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区;源、漏位于沟道区两端,其特征在于,在Fin条中插入一介质层,该介质层剖面形貌为倒T形,由水平和垂直部分组成,垂直部分是垂直于衬底位于器件沟道区下方,顶部位于Fin底部,两侧连接Fin条两边的STI区;水平部分是平行于衬底,连接器件四周STI区底部。
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