[发明专利]一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构

摘要

一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成，后者由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅、金属栅线II，这两个区域交叉分布且不重叠。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。

主权项

1.一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层（2）和金属栅线I（1）构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）和钝化减反射层I（3）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；其背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅场钝化层（6）、钝化减反射层II（7）；背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层（8）、金属栅线II（9），这两个区域交叉分布且不重叠。