[发明专利]一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构

摘要

一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由TiO2I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂晶体硅层或TiO2II、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线Ⅱ。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。

主权项

1.一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（6）作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO2I（5）、钝化减反射层I（4）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；其背电场面结构分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层或TiO2II（7）、钝化减反射层II（8）；背电场‑导电区域由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II（9）、重掺杂n型非晶硅（10）、金属栅线Ⅱ（11），这两个区域交叉分布且不重叠。