[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底及介质层，基底包括第一区域和第二区域，第一区域及第二区域介质层内有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽及第一区域介质层表面有第一功函数层，第二凹槽及第二区域介质层表面有第二功函数层，第二功函数层厚度小于第一功函数层；形成填充满第一凹槽的第一金属层，第一金属层与第一功函数层顶部齐平；形成填充满第二凹槽的第二金属层，第二金属层覆盖第二功函数层；去除部分第一金属层及第一功函数层，形成第一栅极；在第一栅极上形成第一绝缘层；去除部分第二金属层及第二功函数层，形成第二栅极；在第二栅极上形成第二绝缘层。本发明可提高第一栅极与第二栅极高度的一致性，改善半导体结构性能。

主权项

1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域为PMOS区域或NMOS区域，所述第二区域为PMOS区域或NMOS区域，且所述第二区域类型与所述第一区域类型不同，所述基底表面具有介质层，所述第一区域介质层内具有贯穿所述介质层厚度的第一凹槽，所述第二区域介质层内具有贯穿所述介质层厚度的第二凹槽，其中，所述第一凹槽底部和侧壁、第一区域介质层顶部形成有第一功函数层，第二凹槽底部和侧壁、第二区域介质层顶部形成有第二功函数层，所述第二功函数层的厚度小于第一功函数层的厚度；形成填充满所述第一凹槽的第一金属层，所述第一金属层顶部与位于介质层顶部的第一功函数层顶部齐平；形成填充满所述第二凹槽的第二金属层，所述第二金属层还覆盖位于介质层顶部表面的第二功函数层顶部表面；去除部分厚度第一金属层及部分第一功函数层，露出所述第一区域介质层顶部及所述第一凹槽部分侧壁，形成第一栅极，所述第一栅极包括剩余所述第一金属层与剩余第一功函数层，所述第一栅极顶部齐平；形成覆盖所述第一栅极顶部的第一绝缘层；形成所述第一绝缘层后，去除部分厚度第二金属层及部分第二功函数层，露出所述第二区域介质层顶部及所述第二凹槽部分侧壁，形成第二栅极，所述第二栅极包括剩余所述第二金属层与剩余第二功函数层，所述第二栅极顶部齐平；形成覆盖所述第二栅极顶部的第二绝缘层。