[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底、凸出于衬底的鳍部和位于鳍部上的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层；形成横跨沟道叠层的伪栅层，伪栅层覆盖沟道叠层部分的顶部和侧壁；在伪栅层侧壁形成侧墙；以侧墙为掩膜刻蚀伪栅层两侧的沟道叠层，形成凹槽；沿垂直于凹槽侧壁的方向刻蚀部分牺牲层，使侧墙、沟道层和剩余牺牲层围成沟槽；通过沟槽对沟道层进行氟掺杂处理。本发明刻蚀部分牺牲层，使侧墙、沟道层和剩余牺牲层围成沟槽，以暴露部分沟道层，便于进行氟掺杂处理，氟离子通过露出的沟道层扩散至伪栅层下方的沟道层内，并与沟道层表面的Si悬挂键结合为稳定的Si‑F键，从而减轻NBTI效应对POS晶体管的影响。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、凸出于所述衬底上的分立的鳍部、以及位于所述鳍部上的沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层；形成横跨所述沟道叠层的伪栅层，所述伪栅层覆盖所述沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；在所述伪栅层的侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述伪栅层两侧的沟道叠层，在所述沟道叠层内形成凹槽；沿垂直于所述凹槽侧壁的方向刻蚀部分牺牲层，使所述侧墙、沟道层和剩余牺牲层围成沟槽，且所述沟槽与所述凹槽相贯通；通过所述沟槽，对所述沟道层进行氟掺杂处理。