[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810200156.2 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108573944A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 五十岚觉;加藤伸二郎;长谷川尚;秋野胜;井村行宏 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;崔立宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置(10)具有：布线层(5)，其包含设置于基板(1)上的包含铝或铝合金的布线膜(6)和设置于布线膜(6)上的氮化钛膜(7)；保护层(9)，其覆盖布线层(5)的上表面(5a)和侧面(5b)；和焊盘部(8)，其是贯通保护层(9)和氮化钛膜(7)且布线膜(6)露出而成的，保护层(9)是从布线层(5)侧依次层叠第1氮化硅膜(41)、氧化膜(3)和第2氮化硅膜(42)而成的。不易产生包含氮化钛的防反射膜的腐蚀，能够利用一次光刻工序对焊盘部进行开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 保护层 布线膜 氮化硅膜 氮化钛膜 布线层 防反射膜 一次光刻 依次层叠 氮化钛 覆盖布 焊盘部 铝合金 上表面 氧化膜 对焊 基板 盘部 线层 制造 开口 腐蚀 贯通 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：布线层，该布线层包含设置于基板上的布线膜和设置于所述布线膜上的氮化钛膜；保护层，该保护层覆盖所述布线层的上表面和侧面；和焊盘部，该焊盘部是贯通所述保护层和所述氮化钛膜且所述布线膜露出而成的，所述保护层是从所述布线层侧依次层叠第1氮化硅膜、氧化膜和第2氮化硅膜而成的。
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